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Los severos ambientes en los que operan las aplicaciones espaciales son especialmente hostiles contra los elementos electrónicos. Los switches de potencia, los drivers láser, los circuitos híbridos y los convertidores DC-DC en los sistemas espaciales son ejemplos de tecnología de circuitos integrados que son vulnerables a condiciones severas. 

Empleando tecnología DMOS, ISOCOM ha desafiado todas estas adversidades con su amplia gama de dispositivos de potencia MOSFET tolerantes a la radiación, que van desde los 30V a 800V, y que están específicamente diseñados para mejorar la eficiencia global de los convertidores DC-DC. Una RDS extremadamente baja (5.5mΩ), una resistencia excepcionalmente baja on-state y la gran velocidad de los switches hace de estos componentes una alternativa muy adecuada a los dispositivos tradicionales. 

Los MOSFETs vienen en una gran variedad de embalajes incluyendo TO, UB, SMD y LCC. Adicionalmente tanto el SMD como el LCC tienen un diseño compacto de bajo peso, lo cual ayuda a reducir el espacio y el peso a bordo. También está disponible en varias configuraciones de circuitos y estilos de embalaje, a menudo tanto en N-Channel como en P-Channel. En 2019 introdujeron su primer canal dual combinado MOSFET basado en la tecnología ISMD06CL0-1 (la tecnología exclusiva de N-channel y P-Channel)

Los MOSFETs son adecuados para test de radiación incluyendo total de ionización para asegurar la resistencia a la radiación, y están optimizados para emplearse en módulo Clase K para aplicaciones de satélites LEO, MEJO y GEO, así como en otras aeronaves como, por ejemplo, vehículos de lanzamiento y rovers planetarios. Puedes ver más información en el siguiente enlace.